| 000 | 01032-am-a2200205-a-4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000125762 | ||
| 005 | 20230827122109.0 | ||
| 008 | 010107s1991 xxu 000 0 rus u | ||
| 020 |
_a5-02-029696-1 _c2.90 |
||
| 040 | _aAM, AiYeEPHG, :1/01/07 | ||
| 245 | 1 | 0 |
_aМоделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло / _cЛ.Н. Александров, Р.В. Бочкова и др. ; Отв. ред. С.И. Стенин ; АН СССР. Сибирское отд-е. Ин-т физики полупроводников. |
| 260 | 0 |
_aНовосибирск : _bНаука. Сиб. отд-ние , _c1991. |
|
| 300 | _a168 с. | ||
| 650 | 4 | _aФизика | |
| 700 | 1 | 0 |
_aАлександров, Леонид Наумович _4aut |
| 700 | 1 |
_aБочкова, Раиса Васильевна _4aut |
|
| 700 | 1 |
_aСтенин, С.И. _4edt |
|
| 710 | 2 | _aИн-т физики полупроводников СО АН СССР | |
| 999 |
_c99749 _d99749 |
||
| 942 | _cBK | ||