| 000 | 00826nam a2200217 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 001068141 | ||
| 003 | AM-YeNLA | ||
| 005 | 20190508151441.0 | ||
| 008 | 150324s1975 ||| r 000 0 rus d | ||
| 040 | _aAM-YeHGA | ||
| 041 | 0 | _arus | |
| 100 | 1 | _aЗорин, Евгений Иванович | |
| 245 | 1 | 0 |
_aИонное легирование полупроводников / _cЕ.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. |
| 260 |
_aМосква : _bЭнергия, _c1975. |
||
| 300 | _a128 с. | ||
| 440 | 0 |
_aБ-ка радиотехнолога _nВып. 6 |
|
| 504 | _aБиблиогр.: с. 120-128 | ||
| 653 | 0 | _aПолупроводниковые приборы | |
| 700 | 1 | _aПавлов, Павел Васильевич | |
| 700 | 1 | _aТетельбаум, Давид Исакович | |
| 999 |
_c948658 _d948658 |
||