000 | 01130nam a2200277 u 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | 000097054 | ||
003 | AM-YeNLA | ||
005 | 20230116145122.0 | ||
008 | 230116s1967 ru a||||r|||||00||0|rus|d | ||
040 |
_aAM-YeNLA _brus _dAM-YeNLA |
||
041 | 0 | _arus | |
080 | _a681.1 (NLA) | ||
245 | 0 | 0 |
_aИспользование нелинейной емкости полупроводниковых диодов в схемах элементов ЦВМ / _cН.В. Корольков, Г.И. Рассохин, Д.В. Цагарели, Е.А. Яновский. |
260 |
_aМосква : _bВЦ АН СССР, _c1967. |
||
300 |
_a207 с. : _bчерт. ; _c22 см. |
||
490 | 0 | _aТруды вычислительного центра АН СССР | |
650 | 1 | 4 | _aЭВМ |
650 | 1 | 4 |
_aЦифровые вычислительные машины _xЛогические элементы |
650 | 1 | 4 | _aПараметроны |
700 | 1 | _aКорольков, Н.В. | |
700 | 1 | _aРассохин, Г.И. | |
700 | 1 | _aЦагарели, Д.В. | |
700 | 1 | _aЯновский, Е.А. | |
942 |
_2udc _cBK |
||
998 | _cNLANOYEM_20 | ||
999 |
_c73725 _d73725 |