000 01130nam a2200277 u 4500
001 000097054
003 AM-YeNLA
005 20230116145122.0
008 230116s1967 ru a||||r|||||00||0|rus|d
040 _aAM-YeNLA
_brus
_dAM-YeNLA
041 0 _arus
080 _a681.1 (NLA)
245 0 0 _aИспользование нелинейной емкости полупроводниковых диодов в схемах элементов ЦВМ /
_cН.В. Корольков, Г.И. Рассохин, Д.В. Цагарели, Е.А. Яновский.
260 _aМосква :
_bВЦ АН СССР,
_c1967.
300 _a207 с. :
_bчерт. ;
_c22 см.
490 0 _aТруды вычислительного центра АН СССР
650 1 4 _aЭВМ
650 1 4 _aЦифровые вычислительные машины
_xЛогические элементы
650 1 4 _aПараметроны
700 1 _aКорольков, Н.В.
700 1 _aРассохин, Г.И.
700 1 _aЦагарели, Д.В.
700 1 _aЯновский, Е.А.
942 _2udc
_cBK
998 _cNLANOYEM_20
999 _c73725
_d73725