| 000 | 01217nam a2200193 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000812838 | ||
| 005 | 20170507214809.0 | ||
| 008 | 110527s1973 ||| r 000 0 rus d | ||
| 040 | _aAM-YeHGA | ||
| 041 | 0 | _arus | |
| 100 | 1 | _aМадоян, С.Г | |
| 245 | 1 | 0 |
_aТехнология и конструирование полупроводниковых приборов : _bМетоды изготовления электронно-дырочных переходах в полупроводниках / _cС.Г. Мадоян; Моск. ин-т стали и сплавов. |
| 260 |
_aМосква : _bБ. и., _c1973. |
||
| 300 | _aвып. | ||
| 505 | 1 | 0 |
_gЧ. 1 (1973, 153 с. ил. ) _iКурс лекций для специалистов 0629 _rПод ред. Я.А. Федотова _gЧ. 2 (1973, 98 с. ил. ) _iКурс лекций для специалистов 0629 _rПод ред. Я.А. Федотова |
| 653 | 0 | _aПолупроводники | |
| 700 | 1 |
_aФедотов, Я.А. _eред. _4edt |
|
| 710 | 2 |
_aМосковский институт стали и сплавов _bКафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников |
|
| 999 |
_c718304 _d718304 |
||