| 000 | 01102nam a2200205 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000626381 | ||
| 003 | AM-YeNLA | ||
| 005 | 20190426142345.0 | ||
| 008 | 090122s1986 ||| r 000 0 rus d | ||
| 040 | _aAM-YeHGA | ||
| 041 | 0 |
_arus _aeng |
|
| 111 | 2 |
_a"Свойства и структура дислокаций в полупроводниках", междунар. конф. _n(5 ; _d1986 ; _cМосква) |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aV международная конференция "Свойства и структура дислокаций в полупроводниках" : _bV International symposium "Structure and properties of dislocations in semiconductors": Программа и тезисы, Москва, CCCP, 17-22 март. |
| 246 | 3 | 1 | _aV International symposium "Structure and properties of dislocations in semiconductors" |
| 260 |
_aМосква : _bИФТТ, _c1986. |
||
| 300 | _a175 с. | ||
| 546 | _aЧасть текста: англ. | ||
| 550 | _aАН СССР, Ин-т физики твердого тела | ||
| 653 | 0 | _aПолупроводники - Дислокации | |
| 999 |
_c547060 _d547060 |
||