| 000 | 01035nam a2200205 u 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000074404 | ||
| 003 | AM-YeNLA | ||
| 005 | 20230826194234.0 | ||
| 008 | 950720s1986 ||||||||||||||||||||rus d | ||
| 040 | _aAM, AiYeEPHG, 99/06/19 | ||
| 100 | 1 | _aСмородина, Татьяна Александровна | |
| 245 | 1 | 0 |
_aВхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника : _b(Процессы образования монокристал. слоев для микроэлектроники) / _cТ.А. Смородина, Н.Н. Шефталь, А.П. Цуранов ; Отв. ред. И.А. Смирнов. |
| 260 |
_aЛенинград : _bНаука. Ленингр. отд-ние, _c1986. |
||
| 300 | _a173 с. | ||
| 650 | 1 | 4 | _aПолупроводники |
| 700 | 1 | _aШефталь, Николай Наумович | |
| 700 | 1 | _aЦуранов, Александр Павлович | |
| 700 | 1 |
_aСмирнов, И.А. _eред. _4edt |
|
| 999 |
_c53039 _d53039 |
||
| 942 | _cBK | ||