| 000 | 01365nam a2200253 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000596313 | ||
| 003 | AM-YeNLA | ||
| 005 | 20190426140437.0 | ||
| 008 | 080827s1974 ru |||||r|||||000|0|rus d | ||
| 040 | _aAM, ACSTI | ||
| 041 | _arus | ||
| 100 | 1 | _aДокучаев, Ю.П. | |
| 245 | 1 | 0 |
_aИспользование метода каналирования для исследования поверхностных ионнолигированных слоев в полупроводниках : _bобзоры по электронной технике / _cЮ.П. Докучаев, И.И. Разгуляев; М-во электронной пром-ти, ЦНИИ "Электроника". |
| 260 |
_aМосква : _bИзд-во ЦНИИ "Электроника", _c1974. |
||
| 300 | _a54 с. | ||
| 440 | 0 | _aПолупроводниковые приборы | |
| 504 | _aБиблиогр.: с. 49 - 53 (88 назв.) | ||
| 650 | 1 | 4 | _aФизика полупроводников |
| 653 | 2 | _aтяжелые заряженные частицы | |
| 653 | 2 | _aрешетка кристалла | |
| 700 | 1 | _aРазгуляев, И.И. | |
| 710 | 2 | _aМинистерство электронной промышленности | |
| 710 | 2 | _aЦентральный научно-исследовательский институт "Электроника" | |
| 999 |
_c518723 _d518723 |
||