000 | 01018nam a2200217 a 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | 000575721 | ||
003 | AM-YeNLA | ||
005 | 20190426135422.0 | ||
008 | 080222s1978 ru |||||r|||||000|0|rus d | ||
040 | _aAM, ACSTI | ||
041 | 0 | _arus | |
100 | 1 | _aГуртов, Валерий Алексеевич | |
245 | 1 | 0 |
_aВлияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов : _bобзоры по электронной технике / _cВ.А. Гуртов; М-во электронной промышленности СССР. |
260 |
_aМосква : _bИзд-во ЦНИИ "Электроника", _c1978. |
||
300 | _a31 с. | ||
440 | 0 |
_aСер. 2. Полупроводниковые приборы _nвып. 14 |
|
504 | _aБиблиогр.: с. 28 - 31(67 назв.) | ||
650 | 1 | 4 | _aФизические модели |
653 | 1 | _aтранзистор | |
710 | 2 | _aМинистерство электронной промышленности СССР | |
999 |
_c499706 _d499706 |