| 000 | 00957nam a2200193 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000415878 | ||
| 003 | AM-YeNLA | ||
| 005 | 20190426121809.0 | ||
| 008 | 050319s1979 ||||||||||||||||||||rus d | ||
| 041 | 0 | _arus | |
| 100 | 1 | _aХарченко, Валерий Владимирович | |
| 245 | 1 | 0 |
_aЛегирование эпитаксиальных слоев полупроводников / _cВ.В. Харченко, М.Р. Грейсух ; Центр. ПКТБ науч. приборостроения АН УзССР. |
| 260 |
_aТашкент : _bФан, _c1979. |
||
| 300 | _a124 с. | ||
| 504 | _aСписок лит. с. 115-121 | ||
| 650 | 1 | 4 | _aПолупроводники |
| 700 | 1 | _aГрейсух, Моисей Рувимович | |
| 710 | 2 | _aЦентральное проектно-конструкторское и технологическое бюро научного приборостроения АН Узбекской ССР | |
| 999 |
_c354599 _d354599 |
||