| 000 | 00982nam a2200217 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000405811 | ||
| 003 | AM-YeNLA | ||
| 005 | 20190426115027.0 | ||
| 008 | 041123s1991 ai r 000 0 rus d | ||
| 040 |
_brus _cAM-YeNLA |
||
| 041 | 1 | _arus | |
| 080 | _a537.311.322:535.215 (NLA) | ||
| 100 | 1 | _aТорикян, Л.Г. | |
| 245 | 1 | 0 |
_aО возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs -(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле / _cЛ.Г. Торикян; ЕрФИ. |
| 260 |
_aЕреван : _bБ. и., _c1991. |
||
| 300 |
_a16 с. ; _bграф. ; _c21 см. |
||
| 504 | _aБиблиогр. с. 16 (12 наим.) | ||
| 650 | 1 | 4 | _aФизика |
| 710 | 2 | _aЕреванский физический инcтитут | |
| 942 |
_2udc _cBK |
||
| 999 |
_c345168 _d345168 |
||