000 | 01210nam a2200241 a 4500 | ||
---|---|---|---|
999 |
_c325346 _d325346 |
||
003 | AM-YeNLA | ||
005 | 20190523162026.0 | ||
008 | 041119s1984 ai r 000 0 rus d | ||
040 |
_brus _cAM-YeNLA |
||
041 | 0 | _arus | |
080 | _a542.65 (NLA) | ||
245 | 0 | 0 |
_aУсловия образования и особенности выращивания кристаллов в системах Re(2)O(3)-Al(2)O(3) (Re=Tb,Lu) методом направленной кристаллизации / _cГ.О. Ширинян, А.Г. Петросян и др. ; АН АрмССР, ИФИ. |
260 |
_aАштарак : _bБ. и., _c1984. |
||
300 |
_a23 с. : _bграф., табл. ; _c20 см. |
||
490 | 1 |
_aПрепринт / АН АрмССР, Ин-т физ. исслед. _vИФИ-84-107 |
|
504 | _aБиблиогр. : 21-23 (29 наим.) | ||
650 | 1 | 4 |
_aФизика _93 |
700 | 1 | _aШиринян, Г.О. | |
700 | 1 |
_aՊետրոսյան, Աշոտ Գարեգինի, _d1943- _91157 |
|
710 | 2 |
_aИнститут физических исследований АН АрмССР _914873 |
|
830 | 0 |
_aПрепринт / АН АрмССР, Ин-т физ. исслед. _vИФИ-84-107 |
|
942 |
_2udc _cBK |