000 01210nam a2200241 a 4500
999 _c325346
_d325346
003 AM-YeNLA
005 20190523162026.0
008 041119s1984 ai r 000 0 rus d
040 _brus
_cAM-YeNLA
041 0 _arus
080 _a542.65 (NLA)
245 0 0 _aУсловия образования и особенности выращивания кристаллов в системах Re(2)O(3)-Al(2)O(3) (Re=Tb,Lu) методом направленной кристаллизации /
_cГ.О. Ширинян, А.Г. Петросян и др. ; АН АрмССР, ИФИ.
260 _aАштарак :
_bБ. и.,
_c1984.
300 _a23 с. :
_bграф., табл. ;
_c20 см.
490 1 _aПрепринт / АН АрмССР, Ин-т физ. исслед.
_vИФИ-84-107
504 _aБиблиогр. : 21-23 (29 наим.)
650 1 4 _aФизика
_93
700 1 _aШиринян, Г.О.
700 1 _aՊետրոսյան, Աշոտ Գարեգինի,
_d1943-
_91157
710 2 _aИнститут физических исследований АН АрмССР
_914873
830 0 _aПрепринт / АН АрмССР, Ин-т физ. исслед.
_vИФИ-84-107
942 _2udc
_cBK