| 000 | 02242nam a2200241 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | AM-YeNLA | ||
| 005 | 20240803063316.0 | ||
| 008 | 240213s1999 ai a|||fra||||||1|||rus|| | ||
| 040 |
_aAM-YeNLA _brus _cAM-YeNLA |
||
| 041 | 0 | _arus | |
| 100 | 1 |
_aАсатрян, Анна Людвиговна _9192685 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aТеоретическое исследование релаксационных и магнитных характеристик низкоразмерных электронных систем : _bАвтореферат ... канд. физико-математических наук по спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков" / _cА.Л. Асатрян ; Ереванский государственный университет. |
| 246 | 1 | 1 |
_aՑածր չափայնությամբ էլեկտրոնային համակարգերի ռելաքսացիոն և մագնիսական բնութագրերի տեսական ուսումնասիրություն : _bՍեղմագիր՝ Ա.04.10 «Կիսահաղորդիչների և դիէլեկտրիկների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ ֆիզիկամաթեմատիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման / |
| 260 |
_aЕреван, _c1999. |
||
| 300 |
_a19 с. ։ _bрис. : _c21 см. |
||
| 502 |
_aНаучный руководители: д.ф.-м.н. А.А. Киракосян, к.ф.-м.н. А.Л. Вартанян ; Официальные оппоненты: д.ф.-м.н. С.Г. Петросян, д.ф.-м.н. Г.Р. Минасян ; Ведущая организация: Институт радиофизики и электроники НАН РА: _cЕреванский государственный университет. _d30-го октября 1999г. |
||
| 504 | _aБибилиогр. в конце кн. | ||
| 650 | 1 | 4 | _aТехнические, Физико-математические науки |
| 650 | 1 | 4 | _aФизика полупроводников и диэлектриков |
| 710 | 2 | _aЕреванский государственный университет | |
| 942 |
_cTH _2udc |
||
| 998 | _cKlara | ||
| 999 |
_c1942113 _d1942091 |
||