000 | 01277nam a2200253 a 4500 | ||
---|---|---|---|
003 | AM-YeNLA | ||
005 | 20221227123850.0 | ||
008 | 221227s1964 ru a||||r|||||001|0|rus|d | ||
040 |
_aAM-YeNLA _brus _dAM-YeNLA |
||
041 | 0 | _arus | |
080 | _a681.1 (NLA) | ||
100 | 1 | _a Галецкий, Франц Петрович | |
245 | 1 | 0 |
_aИсследование свойств запоминающих ячеек на двух туннельных диодах / _cФ.П. Галецкий, Я.Н. Павловский; Ин-т точной механики и вычислит. техники. АН СССР. |
260 |
_aМосква : _b[ИТМ и ВТ АН СССР], _c1964. |
||
300 |
_a85 с. : _bил. ; _c22 см. |
||
490 | 0 | _aЭлектронные вычислительные машины | |
650 | 1 | 4 | _aЭлектронные вычислительные машины |
650 | 1 | 4 | _aТочная механика и вычислительная техника |
650 | 1 | 4 | _aДиоды, двухтуннельные |
700 | 1 | _aПавловский, Я.Н. | |
710 | 2 |
_aСССР . Академия наук . _bИнститут точной механики и вычислительной техники |
|
942 |
_2udc _cBK |
||
998 | _cNLANOYEM_20 | ||
999 |
_c1880662 _d1880640 |