| 000 | 00953nam a2200193 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000192831 | ||
| 005 | 20190422144244.0 | ||
| 008 | 950720s1985 ||||||||||||||||||||rus d | ||
| 040 | _aAM, AiYeEPHG, 19990115 | ||
| 100 | 1 | _aБургуэн, Жак. | |
| 245 | 1 | 0 |
_aТочечные дефекты в полупроводниках : _bЭкспериментальные аспекты / _cЖ. Бургуэн, М. Ланно ; Пер. Ю.М. Гальперина и др. ; Под ред. В.Л. Гуревича. |
| 260 |
_aМосква : _bМир , _c1985. |
||
| 300 |
_a304 с. : _bил. ; _c21 см. |
||
| 504 | _aСписок лит.: с 289-297 | ||
| 534 |
_pОригинал на англ. : _iPoint Defects in Semiconductors II. Experimental Aspects / _aJ. Bourgoin, M. Lannoo- _cBerlin : Springer-Verlag : 1983 |
||
| 650 | 1 | 4 | _aЭлектричество |
| 700 | 1 | _aЛанно, Мишель | |
| 700 | 1 |
_aГальперин, Ю.М. _eпер. _4trl |
|
| 999 |
_c160161 _d160161 |
||