| 000 | 01284nam a2200241 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 999 |
_c1538587 _d1538569 |
||
| 003 | AM-YeNLA | ||
| 005 | 20190321151913.0 | ||
| 008 | 190321s1986 uz ||||fr|||||00||0|rus|| | ||
| 040 |
_aAM-YeNLA _brus _cAM-YeNLA |
||
| 041 | 0 | _arus | |
| 080 | _a621.38(NLA) | ||
| 100 | 1 | _a Корольков, Владимир Ильич | |
| 245 | 1 | 0 |
_a Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур / _cВ. И. Корольков, Н. Рахимов ; Отв. ред. Ж. И. Алферов ; Министерство просвещения Узбекской ССР ; Наманган. гос. пед. ин-т им. Х. Х. Ниязи. |
| 260 |
_aТашкент : _bФан, _c1986. |
||
| 300 |
_a150 с. : _b ил. ; _c20 см. |
||
| 504 | _a Библиогр.: с. 139-151: | ||
| 650 | 1 | 4 |
_a Полупроводники _v Гетеропереходы |
| 700 | 1 |
_a Рахимов, Найимжан _eавтор _4aut |
|
| 700 | 1 |
_aАлферов, Ж.И. _eредактор _4edt |
|
| 710 | 2 | _aМинистерство просвещения Узбекской ССР : | |
| 710 | 2 | _aНаманганский государственный педагогический институт им. Х. Х. Ниязи : | |
| 942 |
_2udc _cBK |
||