| 000 | 01327-am-a2200265-a-4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000148539 | ||
| 005 | 20230828093902.0 | ||
| 008 | 950417s1988 xxu 000 0 rus u | ||
| 020 | _c2.70 | ||
| 040 | _aAM, AiYeEPHG, 99/06/14 | ||
| 245 | 0 | 0 |
_aПолевые транзисторы на арсениде галлия _bПринципы работы и технология изготовления / _cП.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др. ; Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуолат ; Пер.с англ. Г.В. Петрова. |
| 260 |
_aМосква : _bРадио и связь , _c1988. |
||
| 300 | _a495 с. | ||
| 500 | _aАвт. указаны в оглав. | ||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 439-490 | ||
| 534 |
_pОригинал на англ.: _iGaAs FET Principles and Technology / _aJames V. DiLorenzo, Deen D. Khandelwal - _cArtech House : 1982 |
||
| 650 | 1 | 4 | _aГаллий, арсенид - Полупроводниковые свойства |
| 650 | 1 | 4 | _aТриоды полупроводниковые полевые |
| 700 | 1 | _aФорд, У.М. | |
| 700 | 1 | _aХоллан, Л. | |
| 700 | 1 |
_aПетров, Г.В. _4trl |
|
| 700 | 1 |
_aЛоренцо, Д.В. Ди _4edt |
|
| 700 | 1 |
_aКанделуол, Д.Д. _4edt |
|
| 999 |
_c120138 _d120138 |
||
| 942 | _cBK | ||