| 000 | 00808nam a2200181 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000136707 | ||
| 005 | 20230827130942.0 | ||
| 008 | 990129s1978 ||||||||||||||||||||rus d | ||
| 040 | _aAM, AiYeEPHG, 19990129 | ||
| 100 | 1 | _aБарисс, Валдис Освалдович | |
| 245 | 1 | 0 |
_aОпределение параметров локального уровня в полупроводниках / _cВ.О. Барисс, Э.Э. Клотыньш ; АН ЛатвССР, Физико-энергетический ин-т. |
| 260 |
_aРига : _bЗинатне, _c1978. |
||
| 300 | _a192 с. | ||
| 650 | 1 | 4 | _aЭектричество |
| 700 | 1 | _aКлотыньш, Эмилс Элмарович | |
| 710 | 2 | _aФизико-энергетический институт АН ЛатвССР | |
| 999 |
_c109564 _d109564 |
||
| 942 | _cBK | ||