| 000 | 01102nam a2200217 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000913408 | ||
| 003 | AM-YeNLA | ||
| 005 | 20230719091025.0 | ||
| 008 | 120913s2012 ai |r|||m ||||||rus|d | ||
| 041 | 0 | _arus | |
| 100 | 1 | _aМкртчян, Арсен Юрьевич | |
| 245 | 1 | 0 |
_aФизические характеристики аморфных пленок германия и гетероструктуры a-Ge/p-Si, полученных методом лазерно-импульсного осаждения : _bДис. ... канд. физ.-мат. наук. по спец.: 01.04.10 - Физика полупроводников / _cА.Ю. Мкртчян. |
| 260 |
_aАштарак, _c2012. |
||
| 300 |
_a101 с. : _bил. |
||
| 502 | _aИн-т радиофизики и электроники НАН РА | ||
| 502 | _aНауч. рук.: к. физ.-мат. н. А. М. Кечиянц | ||
| 650 | 1 | 4 | _aФизика полупроводников |
| 655 | 7 | _aDissertation | |
| 710 | 2 | _aИнститут радиофизики и электроники НАН РА | |
| 999 |
_c1076196 _d1076196 |
||
| 942 | _cTH | ||