О возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs -(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле /
Л.Г. Торикян; ЕрФИ.
- Ереван : Б. и., 1991.
- 16 с. ; граф. ; 21 см.
- 537.311.322:535.215 (NLA) .