Использование метода каналирования для исследования поверхностных ионнолигированных слоев в полупроводниках :
Докучаев, Ю.П.
Использование метода каналирования для исследования поверхностных ионнолигированных слоев в полупроводниках : обзоры по электронной технике / Ю.П. Докучаев, И.И. Разгуляев; М-во электронной пром-ти, ЦНИИ "Электроника". - Москва : Изд-во ЦНИИ "Электроника", 1974. - 54 с. - Полупроводниковые приборы .
Библиогр.: с. 49 - 53 (88 назв.)
Физика полупроводников
тяжелые заряженные частицы решетка кристалла
Использование метода каналирования для исследования поверхностных ионнолигированных слоев в полупроводниках : обзоры по электронной технике / Ю.П. Докучаев, И.И. Разгуляев; М-во электронной пром-ти, ЦНИИ "Электроника". - Москва : Изд-во ЦНИИ "Электроника", 1974. - 54 с. - Полупроводниковые приборы .
Библиогр.: с. 49 - 53 (88 назв.)
Физика полупроводников
тяжелые заряженные частицы решетка кристалла