О возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs -(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле /
Торикян, Л.Г.
О возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs -(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле / Л.Г. Торикян; ЕрФИ. - Ереван : Б. и., 1991. - 16 с. ; граф. ; 21 см. - 537.311.322:535.215 (NLA) .
Библиогр. с. 16 (12 наим.)
Физика
537.311.322:535.215 (NLA)
О возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs -(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле / Л.Г. Торикян; ЕрФИ. - Ереван : Б. и., 1991. - 16 с. ; граф. ; 21 см. - 537.311.322:535.215 (NLA) .
Библиогр. с. 16 (12 наим.)
Физика
537.311.322:535.215 (NLA)