Исследование испарения расплава и определение оптимальных условий выращивания лазерных кристаллов иттрий-алюминиевого граната в вакуме : Автореф. дисс. ... канд. физ.-мат. наук по спец. 01.04.04 - Физическая электроника в том числе квантовая и 01.04.18 - Кристаллография и кристаллофизика /
Оганесян, Левон Арутюнович
Исследование испарения расплава и определение оптимальных условий выращивания лазерных кристаллов иттрий-алюминиевого граната в вакуме : Автореф. дисс. ... канд. физ.-мат. наук по спец. 01.04.04 - Физическая электроника в том числе квантовая и 01.04.18 - Кристаллография и кристаллофизика / Л.А. Оганесян. - Ереван, 1980. - 16 с. ; 20 см.
АН Арм. ССР, Ин-т фи. исследований ; Науч. рук.: В.Я. Хаимов-Мальков
Физическая электроника в том числе квантовая
Кристаллография и кристаллофизика
Thesis
Исследование испарения расплава и определение оптимальных условий выращивания лазерных кристаллов иттрий-алюминиевого граната в вакуме : Автореф. дисс. ... канд. физ.-мат. наук по спец. 01.04.04 - Физическая электроника в том числе квантовая и 01.04.18 - Кристаллография и кристаллофизика / Л.А. Оганесян. - Ереван, 1980. - 16 с. ; 20 см.
АН Арм. ССР, Ин-т фи. исследований ; Науч. рук.: В.Я. Хаимов-Мальков
Физическая электроника в том числе квантовая
Кристаллография и кристаллофизика
Thesis